HBM需求与库存去化共振，存储芯片复苏动能增强

存储芯片市场正显现出更明确的复苏迹象，AI服务器所需的高带宽存储（HBM）需求抵消了智能手机和个人电脑市场的疲软。近期DRAM与NAND合约价格已趋稳定，业界观察人士预计下半年将逐步走高。

作为英伟达HBM3E主要供应商，SK海力士表示其先进存储产品已销售至2025年大部分时间。公司正将DRAM晶圆产能转向HBM生产，此举收紧了通用DRAM供应并支撑价格。三星电子则在 earlier delays 后加速其HBM3E产品在大客户中的认证进程。

PC与智能手机OEM的库存经过一年多的去化后已回归正常，为温和的换机周期奠定基础。中国智能手机品牌正为年底购物季增加零部件采购，提供额外需求支撑。

但复苏并不均衡。消费级NAND和低密度DRAM仍面临过剩压力，二线供应商利润率承压。分析师预计中国行业整合将加速，小型厂商在技术规模和成本上难以竞争。

亚太贵芯资讯对SK海力士和三星等存储龙头保持建设性看法，理由包括HBM含量增长和AI数据中心建设。我们认为通用存储是周期后段受益者，价格显著回升需等待更广泛的消费需求回暖。