细分赛道解析：碳化硅驱动下一代电动汽车

碳化硅（SiC）功率半导体正从小众应用走向电动汽车主流市场，驱动力来自对更高效率、更快充电和更长续航里程的需求。与传统硅基IGBT相比，SiC器件可在更高电压和温度下运行，降低能量损耗并实现更小更轻的功率模块。

特斯拉、比亚迪和现代等领先电动车企已将SiC逆变器应用于大众车型。行业估计，随着800伏架构成为标准，每辆电动车的SiC含量可能从目前的约250美元增长至2028年的400美元以上。汽车SiC的可寻址市场预计到本世纪末超过150亿美元。

供应链较为集中。Wolfspeed、Coherent和罗姆是最大的SiC衬底供应商，意法半导体、英飞凌和安森美则主导器件制造。中国的天科合达、天岳先进等企业在政府产业政策支持下快速扩产，以满足国内电动车需求。

但转型也面临阻力。SiC衬底因晶体生长工艺复杂而成本高昂，良率提升慢于预期。特斯拉和比亚迪近期的降价压力迫使车企降低SiC成本，可能延缓衬底厂商利润率扩张。

亚太贵芯资讯看好垂直整合的SiC供应商以及服务于晶体生长和晶圆加工的设备厂商。我们认为该赛道是长期结构性增长主题，但行业规模化过程中短期盈利波动在所难免。